一、Ni薄膜热敏电阻的研究（论文文献综述）
闫宗瑶,刘建勇,方子鑫[1]（2021）在《柔性温度传感器的加工及在纺织领域的应用》文中研究说明通过对柔性温度传感器常用的热敏材料、基底材料以及加工方法等进行分析总结,指出柔性温度传感器使用的热敏材料主要包括金属材料、碳基材料和聚合物材料,其中金属Ni相对于其他金属而言,具有较高的电阻温度系数和稳定的线性度;而聚酰亚胺由于其优异的耐热性和绝缘性成为使用最多的基底材料;MEMS技术结合磁控溅射技术和喷墨打印技术两种方法制作出的电阻薄膜具有较好的线性度和稳定性,成为制作电阻薄膜的主要方法。柔性温度传感器在纺织领域的应用主要是以纺织材料为基底和将传感器与织物集成一体这两种方式,而增加热敏电阻单元的抗弯折性能,提高测量的精准度和灵敏度是以织物为基底的柔性温度传感器迫切需要解决的问题。
刘福浩,杨晓阳,高燕,杨荣,许金通,李向阳[2]（2021）在《具有绝热结构的高性能锰钴镍氧热敏探测器的制备及特性研究》文中进行了进一步梳理通过湿法腐蚀工艺成功制备了具有绝热结构的锰钴镍氧（MCNO）热敏电阻探测器。测试表明,绝热结构使得热敏探测器的热导大幅降低,在真空环境下仅为没有绝热结构器件的1/20,典型热导率值为1.37mW/K。通过V-I测试并结合理论曲线拟合发现,MCNO薄膜材料的热导率随温度增高而减小。绝热结构使得MCNO热敏探测器的响应率大幅提高,在30Hz调制频率、36V偏置电压下,响应率典型值为50.5V/W,是没有绝热结构器件的10倍。实验验证了在MCNO薄膜材料上制作绝热结构热敏探测器的可能性,为制作新型室温全波段高性能红外探测器奠定了基础。
王向斌[3]（2021）在《基于不同衬底的Mn1.2Co1.5Ni0.3O4热敏薄膜的制备及其应用研究》文中研究说明
满振武[4]（2021）在《γ-石墨单炔制备及其热敏特性与气敏特性研究》文中指出γ-石墨单炔（γ-GY）作为一种新型二维碳基半导体材料,具备低形成能、高稳定性、大比表面积、丰富孔洞结构等特点,在半导体器件和电路等领域应用前景广阔。目前对于γ-GY的研究工作依旧处于探索阶段,γ-GY的实验制备方法和具体器件领域应用寥寥无几,此前γ-GY的热敏特性和气敏特性也未被实验研究过。本文首次提出了γ-GY的恒温搅拌制备法,并通过实验探究了γ-GY的热敏特性和气敏特性。本文的研究工作将为γ-GY未来的工业化制备提供一定的实验方法参考,将为γ-GY在热敏、气敏领域的实验研究工作打开大门,将促进γ-GY在半导体器件及电路领域得到更为广阔的应用。本文主要研究内容有:1.γ-GY的恒温搅拌制备方法,所用前驱物为C6Br6和CaC2。实验制备的机理,是利用恒温搅拌时高能的乙醇分子,促进前驱物C6Br6和CaC2的交叉偶联反应的发生。制备的主要流程,包括前驱物预处理、恒温搅拌制备、煅烧除杂、洗涤除杂等环节,最后得到黑色蓬松粉末,经过系列表征测试,确定了制备得到的是具备二维结构的高纯度γ-GY多晶。2.研究了实验设备、预处理工艺、除杂工艺、恒温搅拌温度、恒温搅拌时间等因素对于γ-GY制备的影响,确定实验设置及相关参数为:煅烧除杂采用流通氮气的管式气氛炉;预处理的短时间球磨过程中,前驱物可以混和球磨,也可以各自球磨;除杂工艺设置为先煅烧除杂、后洗涤除杂;恒温搅拌温度设置为80℃;恒温搅拌的搅拌总时长不少于23 h。3.研究了本文所制备γ-GY的稳定性,发现γ-GY在空气氛围下200℃以内、惰性气体氛围下800℃以内时,即可保证γ-GY自身结构、形貌的稳定性。测试分析了γ-GY传感器件的热敏性能,发现其表现出负温度系数（NTC）热敏电阻的特性,阻值随温度升高而呈指数规律下降,器件热敏常数B为2143.7,时间常数τ小于15 s,百日后器件老化率绝对值为0.069。4.测试分析了γ-GY传感器件的气敏性能,发现γ-GY对NO2气体的吸附能力强于解吸附能力,动态响应曲线存在基线漂移现象,基于此,本文选定了响应度曲线的一阶导数极值为γ-GY器件对NO2气体的浓度检测指标;最后,本文确定了γ-GY气敏器件对NO2气体的工作温度为室温、检测极限约为2 ppm、线性范围为10 ppm～100 ppm、气体选择性良好、具备较为优良的重复性与稳定性。
胡涛[5]（2021）在《新型Mn-Co-Ni-O薄膜探测器的研究》文中提出微测辐射热计具有高响应、高集成度和室温探测等特点,目前已经在热成像、卫星遥感、环境监测、夜视、物质检测等红外领域有着广泛的应用。但氧化钒、非晶硅等热敏材料在太赫兹波段吸收系数较小;太赫兹波段的谐振腔加工困难;背景辐射噪声大等问题,一直制约着微测辐射热计在太赫兹和毫米波领域的发展和应用,发展高性能的太赫兹和毫米波微测辐射热计已经是当前的研究热点。另一方面,随着第三代探测技术的快速发展,集成多种探测功能于一体的微测辐射热计也是当前的一个重要发展趋势。例如在太赫兹波段的一些生物分子识别、特征频谱的物质检测等方面,探测器需要具备窄带探测的能力。在材料和组织特性,物体表面粗糙度,以及在复杂环境中进行高对比度探测等方面,探测器需要具备偏振探测的能力;而目前绝大部分的偏振探测都是依赖单独的偏振片,导致器件整体的体积过大,结构复杂而且成本较高。在微测辐射热计上,如果能够集成窄带、偏振、角度选择等探测功能,将极大的扩展微测辐射热计在这些领域的应用前景。近些年,Mn-Co-Ni-O薄膜型探测器,由于其探测材料具备负温度系数大、光谱响应度宽、制备成本低廉、性能稳定等优势,有望发展成为新一代的高响应、低成本、宽波段、高集成化和多功能化的非制冷型微测辐射热计。因为Mn1.56Co0.96Ni0.48O4（MCNO）薄膜在长波红外（8-14μm）及远红外（14-30μm）的波段都有着良好的吸收系数,目前MCNO薄膜探测器已经在地球辐射测量,红外成像等领域有着广泛的应用。但是MCNO薄膜在中波红外（3-6μm）有着极弱的消光系数,直接限制了MCNO薄膜探测器在该波段的应用和发展。针对上述问题,我们将首先在探测元表面引入介质结构层,通过增加MCNO薄膜的吸收,提升MCNO薄膜探测器在中波红外（3-6μm）的性能;紧接着以MCNO薄膜探测器为例,借助等离子激元超表面和天线技术,分别去提升微测辐射热计在太赫兹波段和毫米波波段的性能,同时增加传统微测辐射热计不具备的窄带探测、偏振探测等新功能。论文的主要内容和创新点如下:1.设计并制备了一种基于硅介质结构的MCNO红外增强型探测器。通过在MCNO探测器敏感元表面引入硅介质结构层,作为耦合特定波长电磁波的引导层,将入射光的能量局域在MCNO薄膜内部,达到增强器件中MCNO薄膜吸收的目的,从而增大MCNO薄膜探测器的响应。跟在敏感元表面涂覆黑漆吸收层相比,这种方法更加环保,也更适用于集成度更高的焦平面探测器,避免了黑漆吸收层在像元之间涂覆不均匀的问题;与等离子激元原理的金属人工微结构相比,这种方法可以避免能量耗散在金属材料中,从而更大程度地提升敏感元部分的吸收。通过在MCNO薄膜表面引入了硅介质结构层,器件的响应率由1.31 V/W提升到了1.85V/W,增长了41.22%。有硅介质结构层的器件在500K黑体辐射下室温探测率D*可以达到2.53×106cm·Hz1/2·W-1。2.设计并制备了“11×6”矩形金属孔阵列的高性能且偏振敏感的MCNO太赫兹探测器。利用等离子激元共振方法,来实现MCNO薄膜对特定波长的高效吸收;在室温条件下,对于调制频率为10 Hz的300 GHz太赫兹波,传统的MCNO薄膜探测器的响应率为0.52 V/W,引入吸收结构后的MCNO薄膜探测器的响应率增加了336.53%,达到了2.27V/W,探测率D*可以达到2.19×106cm·Hz1/2·W-1。利用矩形金属孔对波长的敏感性,来实现MCNO薄膜在光谱上的窄带吸收;探测元在300GHz的吸收可以达到54.2%,光谱的品质因子（Q值）可以达到13.64。利用矩形金属孔对入射光的偏振敏感性,实验上偏振消光比可以达到8.44以上。除了能够高效探测太赫兹波之外,我们的器件还增加了传统微测辐射热计不具备的窄带探测能力和较高灵敏度的偏振探测能力,扩展了传统微测辐射热计在这些领域的应用。我们的器件制备过程简单,未来可以用来提升太赫兹焦平面探测器的性能,也可以用在窄带探测与偏振探测等领域。3.设计并制备了一种基于天线耦合效应的高性能且偏振敏感的MCNO毫米波探测器,并成功在敏感元上引入了周期性光栅结构,以达到进一步提高器件响应的目的。当28GHz毫米波入射时,在调制频率为10Hz下,器件的室温响应率可以达到440.2V/W,噪声等效功率NEP为1.3×10-9W·Hz-1/2,探测率D*可以达到6.7×106cm·Hz1/2·W-1。此外,利用天线的极化特性,我们的器件也具有灵敏的偏振探测能力,实验上偏振消光比可以达到24以上。我们提出的新型器件,其构造较为简单,制备过程容易,与现代半导体制造工艺相兼容,未来可以广泛用于提升MCNO焦平面探测器的性能。
尹一鸣[6]（2021）在《锰钴镍氧热敏薄膜材料及非制冷红外探测器件研究》文中研究说明非制冷红外探测器在红外成像、空间科学与技术、生物、医药、环境保护等领域有着广泛应用,发展高性能、宽波段、大规模集成的非制冷红外探测器是近些年的研究热点。过渡金属氧化物Mn-Co-Ni-O薄膜材料具有负电阻温度系数大、光谱响应范围宽、长期稳定性好等优点,适合于制备宽波段响应的高性能非制冷红外探测器。然而,由于材料制备温度过高、器件性能不具优势等原因,Mn-Co-Ni-O薄膜材料尚无法得到广泛应用。本论文针对Mn-Co-Ni-O薄膜材料广泛应用存在的问题开展了相关研究,主要内容和创新点如下:1.研究了后退火对低温制备的Mn1.56Co0.96Ni0.48O4（MCN）薄膜材料微结构、表面形貌和电学性质的影响。采用射频磁控溅射法以相对较低的温度（450℃）制备了MCN薄膜,将薄膜分别在450℃、600℃和750℃条件下退火20分钟。结构与表面形貌表征表明退火对薄膜的结晶性和晶粒尺寸有重要影响。变温电学性质研究结果显示450℃退火的薄膜有最低的电阻率（326Ω·cm）和较大的负电阻温度系数（-3.4%/K）,MCN薄膜材料中的小极化子跳跃电导均符合最近邻跃迁模型。这种低温溅射MCN薄膜的方法与现代硅工艺技术兼容,对发展基于MCN薄膜材料的线列与阵列器件具有重要意义。2.研究了沉积温度对Mn1.56Co0.96Ni0.48O4（MCN）薄膜材料微结构、离子价态分布和电学性质的影响。采用射频磁控溅射法在200℃、400℃和750℃下沉积了Mn1.56Co0.96Ni0.48O4（MCN）薄膜,XRD和SEM结果表明沉积温度对薄膜材料的结晶性和表面形貌具有重要影响,采用XPS谱分析了Mn、Co、Ni元素的价态,确定了不同温度沉积的MCN薄膜材料的离子分布和分子式。Mn3+/Mn4+的比值随沉积温度升高而增大,而在400℃时,Mn3+/Mn4+离子对的浓度最大。变温电学测试表明MCN薄膜的电阻率随沉积温度的升高而下降,所有薄膜材料均具有相近的特征温度和激活能。基于材料的结晶性和XPS结果,我们对MCN薄膜材料电阻率与沉积温度之间的依赖关系进行了分析。这项研究工作深入分析了沉积温度对MCN薄膜材料的影响,对制备高质量MCN薄膜材料具有重要参考意义。3.研究了多种组分Cu和Sc掺杂Mn1.5Co1Ni0.5O4（MCN）薄膜材料用于增强MCN薄膜材料的光电学性能。采用化学溶液法在氧化铝衬底上制备了未掺杂的Mn1.5Co1Ni0.5O4薄膜和Cu、Sc共掺杂的Mn1.5Co1Ni0.25CuxSc0.25-xO4（x=0.05,0.1,0.15）薄膜。研究了薄膜的结晶性、表面形貌、电学输运性质、光学性质和1/f噪声性质。Mn1.5Co1Ni0.25Cu0.15Sc0.1O4薄膜的负电阻温度系数和特征温度高于Mn1.5Co1Ni0.5O4薄膜,而295 K时的电阻率（250Ω·cm）仅为Mn1.5Co1Ni0.5O4薄膜的一半。研究分析了MCN薄膜和掺杂MCN薄膜在0.55-2μm范围内的透射光谱和反射光谱,这些薄膜在测量光谱范围内表现出相似的吸收特性。掺杂MCN薄膜的1/f噪声显着低于MCN薄膜,Mn1.5Co1Ni0.25Cu0.15Sc0.1O4薄膜的（γ/n）0.5/|TCR|值在295 K时为2.3×10-12 cm1.5 K/%,较MCN薄膜低两个数量级。这项研究发现了一种性能优异的热敏薄膜材料,有望应用于高性能非制冷红外探测器。4.超宽波段均匀光谱响应的非制冷红外探测器性能及成像研究。采用射频磁控溅射法在室温下沉积了低电阻率（131Ω·cm）和负电阻温度系数（-3.1%/K）的Mn1.56Co0.96Ni0.48O4（MCN）薄膜,基于MCN薄膜和一种商用有机薄膜实现了一种超宽波段响应的红外探测器,其光谱响应范围为1.3-27μm（SWIR-VLWIR）,光谱响应非均匀性小于5%。同时,设计并制备了MCN线列探测器,器件探测元的平均响应率为260 V W-1,探测率为1×108 Jones,响应时间为9.9ms。利用超宽波段均匀光谱响应的MCN线列探测器进行了“真实”红外成像实验,验证了“真实”红外成像在应用中的显着优势。这项研究结果解决了红外探测器兼具超宽波段和均匀光谱响应的难题,发展了一种具有更高探测率和识别率的成像方法。
熊可[7]（2021）在《硅基微型热导检测器的设计与制作研究》文中研究表明随着石油、化工、天然气等领域的快速发展,对气体的在线检测要求越来越严格,传统的热导检测器已经很难满足检测要求。近年,随着MEMS（Micro-Electro-Mechanical System）技术日益成熟,研究人员利用光刻、刻蚀、薄膜沉积、键合等微加工技术,将热导检测器制作在硅片上,据此将检测器尺寸减小至毫米级别。这种微型热导检测器（简称μTCD）,不仅具有传统热导检测器通用性好的特点,还极大地降低了器件体积和分析时间,具有便携性好、灵敏度高等优势。但是,相关器件的制作工艺复杂、造价昂贵,限制了微型热导检测器的发展及应用。为此,本论文将重点研究微型热导检测器的制作技术,探索相关的工艺条件,据此制作出满足气体检测要求的微型热导检测器。本文主要研究成果如下:（1）研究了热敏电阻的制作工艺,探索出电子束蒸发法和双层负胶剥离工艺结合时,最容易得到完整的金属图形。并对热敏电阻的电学性能进行测试,结果表明,金属薄膜在经历350℃高温后,Pt电阻的TCR会增大,但是Pt电阻的阻值却会降低。与之相比,Ni电阻的阻值降低的幅度更大。（2）研究了影响湿法腐蚀和干法刻蚀工艺的因素。研究表明,湿法腐蚀硅的最优条件是KOH浓度在30wt%左右,温度在80-85℃;在干法刻蚀中,同种刻蚀气体对Si、Si O2、Si Nx的刻蚀速率不同。在此基础上,本文分别采用湿法腐蚀和干法刻蚀两种方法,制作出微型热导池和Si Nx微桥。表征结果表明:通过湿法腐蚀制作的热导池的表面更为平整。通过湿法腐蚀制作的微桥的图形与硅片晶向和掩膜图形相关,Si Nx微桥容易被KOH过度腐蚀而降低机械强度。与之相比,利用干法刻蚀制作的微桥图形与掩膜图形的一致性高,其侧壁垂直度高达89±1。,但是Si Nx微桥背面容易遗留硅,影响微桥性能。（3）根据我们在微型热导检测器的结构设计、制作工艺、仿真优化等探索结果,本文成功地制作出所设计的微型热导检测器,并对该微型热导检测器的性能进行了测试分析。结果表明,自制的微型检测器可以检测出503 ppm的正戊烷,而且气体的分析测试时间约为2 min,可以满足天然气在线测试分析要求。本文探索出微型热导检测器的制作方法,为后人的研究提供了依据。
杨丙文[8]（2020）在《基于锰基尖晶石结构热敏薄膜电阻制备及性能研究》文中研究指明负温度系数（NTC）的热敏电阻显示出电阻随温度升高呈指数下降的特性。NTC热敏电阻广泛应用于电路保护,温度监控和温度补偿等领域。NTC热敏电阻具有可靠性高,制造成本低,响应速度快,易于更换且适用温度范围广等特点,因此被广泛应用于家用电器,消费电子产品,汽车电子和医疗设备。具有尖晶石结构的化合物AB2O4（A,B=Mn,Ni,Cu,Co,Fe,Cr等）是最为热门的NTC材料,并且得到了最广泛的关注。在尖晶石结构化合物中,金属阳离子位于氧四面体位中心和氧八面体中心位置上。通常采用如下方程表示NTC材料的电性能,R=R0exp（Ea/KbT）,B=Ea/Kb,其中R0是在正无穷大温度下的电阻,T是绝对温度值,Ea是导电活化能,Kb是玻尔兹曼常数。B值是活化能Ea与玻尔兹曼常数Kb的比值。此外,一些宏观物理量,例如R25,B值常数,活化能和响应时间,代表NTC热敏电阻器件的主要特性,是NTC热敏电阻的生产和研究所注重的参数。本论文的研究以锰基NTC材料为研究对象,以固相反应法制备了 MnCoNi三元,MnCoNiCu四元,MnCoCu三元,MnCoCuRu四元的NTC热敏电阻材料,通过改变组成成分、制备工艺等条件,研究上述NTC材料的物相结构、微观形貌、元素分布、价态分布、电阻率、活化能、温度电阻特性等。此外通过一系列半导体工艺,镀膜、光刻、刻蚀等,制备了薄膜NTC传感器。取得了以下的研究成果:（1）固相反应法制备了不同元素配比MnCoNi三元NTC热敏电阻材料,研究了组成成分对其表面形貌、微观结构、离子分布和电性能的影响。随着Co含量的增加,材料的B值出现了小幅度下降,室温电阻率也有下降。通过对Mn1.4Co0.9Ni0.7O4三元NTC经过280℃高温老化,MCN片式热敏器件没有出现大幅度的电性能变化,验证了 MnCoNi三元NTC材料的稳定性和可靠性。通过研究退火温度对Cu掺杂MnCoNi的影响,发现在1200℃下,当退火温度为1200℃时,样品XRD图像特征峰明晰,其B值为3184 K,25℃的电阻率为260Ω·cm,Cu的掺杂可以降低B值和25℃的电阻率。（2）利用固相反应法制备Mn1.5CoNi0.5O4的NTC材料为基础,制备了 NTC材料的片式块体器件。利用Mn1.5CoNi0.5O4陶瓷靶材,通过半导体工艺制造了具有不同膜厚的薄膜MCN热敏电阻器件,并研究了厚度对所制备薄膜的表面形貌,晶体结构,元素分布,响应时间和电性能的影响。片式MCN热敏电阻的响应时间为5.13 s;薄膜厚度为528 nm,610 nm和677 nm的薄膜MCN热敏电阻分别为0.43 s,0.46 s和0.52 s。MCN热敏电阻响应时间比片式MCN热敏电阻低大约一个数量级。（3）通过固态反应方法制备了掺有RuO2（0.1、0.2、0.3）的Mn1.6Co0.4CuO4粉末,运用第一性原理对RuO2的能带结构和态密度（DOS）的模拟分析,解释了 RuO2对MCCR低电阻率的影响,价带顶（VBM）和导带底（CBM）部分重叠,并且跨越穿插费米能级,RuO2具有金属的导电特性。Ru02的添加导致晶体结构的价态和阳离子位置发生变化,Cu2+离子价态改变为Cu+离子,Mn2+离子和Mn3+离子向Mn4+离子的转化。掺杂RuO2后,电阻率,活化能和B值降低,最小电阻率为0.13Ω·cm,活化能为0.115 eV,B值为1329K。（4）选择x=0.1的RuO2掺杂Mn1.6Co0.4CuO4块体靶材,通过一系列的半导体工艺制造MCCR薄膜热敏电阻,包括磁控溅射镀膜,光刻胶涂胶,光刻机曝光,显影,湿法刻蚀等工艺流程制备了 MCCR薄膜热敏电阻,并研究了不同退火温度对电性能和微观形貌结构的影响。不同退火温度的MCCR薄膜热敏电阻传感器在25℃下的电阻为47.31、27.4、18.9和13.56Ω。同时,这些传感器的热时间常数分别为0.78 s、0.97 s、1.05 s和1.24 s,响应时间优于块体片式传感器。
崔金婷[9]（2020）在《航空关键部件一体化集成薄膜热电阻传感器》文中提出在航空航天事业中,为了避免大型事故和损失,各种零部件的工作温度需要有较为严格的控制和检测。为了对航空部件使用过程中的温度变化有进一步了解与研究,薄膜温度电阻器从传统温度电阻器中脱颖而出。相比于传统的温度电阻器,薄膜温度电阻器有众多不可忽视的优点。薄膜微米级甚至纳米级的厚度结构对零部件来说不占空间,也可以根据不同器件的形貌设计不同的传感器结构,灵活多变,可以适用于各种形状的器件。以薄膜的方式直接生长在部件上的形式导致零部件在热传递过程迅速且热损耗极少,能够较大程度对零部件的真实温度进行准确测量。在实际应用中,有大部分零部件的材料在高温下会出现变形、裂开等现象,从而丧失正常运行能力,导致功能失效。因此有必要通过低温制备工艺来制备薄膜热电阻,并针对常低温阶段进行测量。这项研究一方面用电子束蒸发制备出绝缘性更好的绝缘层;另一方面则通过直流磁控溅射研究了低温下制备Ni薄膜热电阻的工艺,成功在室温下制备出致密且均匀的Ni薄膜。实验主要分为三个步骤进行研究:首先采用电子束蒸发在轴承的表面上制备氧化铝绝缘层。主要对不同厚度和结构的绝缘层进行研究,最终达到能将轴承和功能层薄膜完全电绝缘的目的。我们发现,采用同种绝缘材料分多次制备出的绝缘层比一次性制备出的绝缘层绝缘性和附着力更好。其次采用直流磁控溅射制备功能层薄膜,探究在低温下制备出性能良好的薄膜热电阻的工艺,并对不同的衬底温度、沉积气压和溅射功率等参数对薄膜的影响做了探索实验。最终我们确定了条件为常温0.3 Pa、功率60 W的工艺最合适,能够使薄膜热电阻的TCR值稳定在3000 ppm/℃,并对该条件下的薄膜做了系列测试。最后将绝缘层和功能层依次制备在轴承上,对整个轴承进行测试。一方面,在200℃以内的温度范围进行TCR测试,研究其线性度和重复性,在轴承上的TCR值能够达到2000 ppm/℃,并且有较好的重复性和更好的线性度;另一方面,根据轴承的工作环境,对制备好的轴承整体进行了附着力测试,以确保轴承工作环境不会影响功能层的性能。
张柯[10]（2019）在《磁控溅射制备Mn-Co-Ni-Mg-Al-O薄膜的电学与光学性能研究》文中研究说明以Mn,Co,Ni过渡族金属为主的尖晶石结构材料（AB2O4）是一种具有电阻随温度上升而指数下降的材料,它具有较高的温度-电阻系数（TCR）,工作温度范围和光谱的反应范围广,能够长期稳定工作等优点,老化性能好,被广泛应用于辐射热测量计,非致冷型红外探测仪和温度测量计等精确测量仪器上,近年来,为了适应极端条件下器件的使用,因此对器件的准确度以及灵敏度有了更高的要求,而可持续发展也对材料制备过程中的无污染,能耗小提出了更高的要求,并且器件的集成化对器件的尺寸提出了更新的要求。因此,相较于传统器件而言,灵敏度更高,尺寸更小的薄膜器件逐渐成为了 Mn-Co-Ni-O系薄膜器件的研究热点。具有良好的结晶性且物理性能比较稳定的过渡金属氧化物薄膜是制备出满足可靠性高,灵敏度高的薄膜器件的前提,在Mn基过渡金属氧化物系材料的制备方面,主要是以物理方法为主,由于高温固相合成法已经具备了较为成熟的工艺体系。因此本文以高温固相法合成Mg,Al掺杂Mn-Co-Ni-O系材料陶磁靶材作为基础,通过Mg,Al原子在尖晶石结构中的占位不同,来调控不同价态Mn离子的比例,以改变其电学性能及其光学性能。使用磁控溅射法溅射制备五元Mn-Co-Ni-Mg-Al-O薄膜,在传统的Mn-Co-Ni-O材料体系中掺杂Mg,Al原子,对磁控溅射Mn-Co-Ni-Mg-AI-O系薄膜的最佳生长温度进行了摸索,另外通过不同的气氛退火,对薄膜中氧缺陷进行了研究。并对所制备的Mn-Co-Ni-Mg-Al-O系薄膜的物相结构,电学,光学性能进行了研究。本文的主要工作基本围绕以下三个方面展开:（1）射频磁控溅射制备Mn-Co-Ni-Mg-Al-O系薄膜采用射频磁控溅射方法在不同的生长温度下制备了 一系列的Mn-Co-Ni-Mg-Al-O系薄膜,通过XRD,XPS等手段对不同生长温度下制备的系列薄膜进行晶体结构及阳离子分布的半定量和定性分析,并找出最佳的生长条件,希望能对该材料器件的微型化制备提供有意义的参考。XRD结果表明,在100℃和150℃沉积的薄膜为（311）取向,在200℃和250℃沉积的尖晶石NTC薄膜中出现了（400）取向的衍射峰。随着（400）衍射峰的出现,薄膜热敏常数（B值）从2000 K增加到4000 K。通过对系列薄膜的XPS分析,发现薄膜中的主要变价离子为Mn离子,Co离子在薄膜材料中均是以+2价存在的,以此为依据,并结合了尖晶石结构中的离子占位规则,推算出各薄膜的组分,发现当薄膜溅射生长温度升高到200℃时,Mg2+开始倾向于占据尖晶石结构中的八面体位置。结合薄膜的热敏常数来看,表明Mn-Co-Ni-Mg-Al-O系薄膜的电学性能与材料生长取向和阳离子分布有很大的关系。（2）不同退火气氛下制备Mn-Co-Ni-Mg-Al-O系薄膜采用直流磁控溅射法溅射Mn-Co-Ni-Mg-Al五元合金靶制备薄膜,通过在不同气氛下退火来研究薄膜中氧的缺陷对薄膜性能的影响,为了探究在薄膜中氧元素对薄膜性能的影响,我们特意采用了无氧的合金靶进行溅射制备薄膜,溅射所得薄膜在不同的退火气氛对薄膜中的氧缺陷进行了研究。研究了氧缺陷对薄膜结构、电性能的影响。（3）Mn-Co-Ni-Mg-Al-O系薄膜的光学性能分析使用椭偏光谱仪对在不同衬底温度下溅射所获得的Mn-Co-Ni-Mg-Al-O薄膜进行测量,在得到一系列椭圆偏振光谱后通过泰克-洛伦兹模型拟合得到薄膜近红外-可见光区域的折射率与消光系数的变化,并进行对比分析。
二、Ni薄膜热敏电阻的研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、Ni薄膜热敏电阻的研究（论文提纲范文）
（1）柔性温度传感器的加工及在纺织领域的应用（论文提纲范文）
| 1 柔性温度传感器的热敏材料 |
| 1.1 金属材料 |
| 1.2 碳基材料 |
| 1.3 聚合物材料 |
| 2 柔性温度传感器的基底 |
| 3 柔性温度传感器的加工方法 |
| 3.1 基于MEMS技术的柔性温度传感器研究 |
| 3.2 喷墨打印技术柔性温度传感器研究 |
| 4 柔性温度传感器在纺织领域应用 |
| 4.1 以织物为基底的柔性温度传感器 |
| 4.2 结合在纺织品上的柔性温度传感器 |
| 5 结论 |
（2）具有绝热结构的高性能锰钴镍氧热敏探测器的制备及特性研究（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 器件理论 |
| 2 器件制备 |
| 3 实验过程和结果 |
| 3.1 MCNO热敏探测器的变温电阻特性 |
| 3.2 MCNO热敏电阻V-I曲线 |
| 3.3 不同导热结构灵敏元的热导 |
| 3.4 不同偏置电流下的热导 |
| 3.5 响应率 |
| 4 结论 |
（4）γ-石墨单炔制备及其热敏特性与气敏特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 γ-GY的结构与性质 |
| 1.3 γ-GY的制备方法进展 |
| 1.4 γ-GY在传感器领域的应用 |
| 1.4.1 γ-GY在热敏传感器领域的应用 |
| 1.4.2 γ-GY在气敏传感器领域的应用 |
| 1.5 本文选题意义及主要研究内容 |
| 第二章 γ-GY的恒温搅拌制备方法及测试表征技术 |
| 2.1 实验试剂及仪器 |
| 2.2 γ-GY的主要测试表征方法 |
| 2.3 γ-GY的恒温搅拌制备方法 |
| 2.3.1 实验方法及原理 |
| 2.3.2 工艺流程 |
| 2.4 γ-GY的热敏及气敏性能测试 |
| 2.4.1 γ-GY传感器件制备及热敏、气敏性能测试系统 |
| 2.4.2 热敏传感器件主要性能参数 |
| 2.4.3 气敏传感器件主要性能参数 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 恒温搅拌法制备γ-GY的影响因素分析 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验设备对γ-GY制备的影响及分析 |
| 3.2.1 实验设备对制备的影响及分析 |
| 3.2.2 样品的测试表征分析 |
| 3.3 预处理工艺和除杂工艺对γ-GY制备的影响及分析 |
| 3.3.1 预处理工艺对制备的影响及分析 |
| 3.3.2 除杂工艺对制备的影响及分析 |
| 3.4 搅拌温度和搅拌时间对γ-GY制备的影响及分析 |
| 3.4.1 搅拌温度对制备的影响及分析 |
| 3.4.2 搅拌时间对制备的影响及分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 γ-GY的热敏性能与气敏性能测试分析 |
| 4.1 γ-GY的稳定性分析 |
| 4.2 γ-GY的热敏器件测试分析 |
| 4.2.1 γ-GY热敏性能测试分析 |
| 4.2.2 γ-GY的热敏机理分析 |
| 4.3 γ-GY对NO_2的气敏性能测试分析 |
| 4.3.1 γ-GY对NO_2的响应/恢复时间分析及检测指标选择 |
| 4.3.2 γ-GY气敏器件的工作温度测试分析 |
| 4.3.3 γ-GY的气体选择性测试分析 |
| 4.3.4 γ-GY气敏器件的重复性和稳定性测试分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 工作总结 |
| 5.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 |
| 致谢 |
（5）新型Mn-Co-Ni-O薄膜探测器的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 引言 |
| 1.1 红外辐射与探测技术 |
| 1.2 太赫兹波的性质及探测技术 |
| 1.3 非制冷型微测辐射热计发展现状 |
| 1.3.1 微测辐射热计在红外波段的研究状况 |
| 1.3.2 微测辐射热计在太赫兹波段的研究状况及瓶颈 |
| 1.4 超材料吸波器 |
| 1.5 Mn-Co-Ni-O薄膜材料及器件的研究进展 |
| 1.5.1 Mn-Co-Ni-O薄膜材料的研究 |
| 1.5.2 Mn-Co-Ni-O薄膜探测器研究进展 |
| 1.6 本文的研究内容和意义 |
| 第2章 Mn-Co-Ni-O薄膜及器件的制备、表征和研究方法 |
| 2.1 Mn-Co-Ni-O薄膜材料的制备方法 |
| 2.2 Mn-Co-Ni-O薄膜的研究方法 |
| 2.3 器件性能表征系统 |
| 2.3.1 黑体测试系统 |
| 2.3.2 太赫兹/毫米波响应测试系统 |
| 2.4 评价器件性能的指标 |
| 2.4.1 响应率 |
| 2.4.2 噪声等效功率 |
| 2.4.3 探测率 |
| 2.4.4 响应速度 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 基于硅介质结构的红外增强型探测器 |
| 3.1 导模共振 |
| 3.2 器件的仿真 |
| 3.2.1 传统薄膜型器件 |
| 3.2.2 基于硅介质结构的薄型探测器 |
| 3.2.3 基于硅介质结构的厚型探测器 |
| 3.3 器件的制备 |
| 3.4 器件的测试 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 基于矩形金属孔阵列的偏振型太赫兹探测器 |
| 4.1 太赫兹的场增强现象 |
| 4.2 矩形金属孔的结构与特性研究 |
| 4.2.1 矩形金属孔结构设计 |
| 4.2.2 矩形金属孔的几何尺寸对MCNO吸收曲线的影响 |
| 4.2.3 材料参数对MCNO吸收曲线的影响 |
| 4.3 器件的制备 |
| 4.4 器件的性能测试 |
| 4.4.1 器件的响应 |
| 4.4.2 器件的频率选择性 |
| 4.4.3 器件的偏振 |
| 4.4.4 器件的时间常数 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 基于天线耦合的光栅型毫米波探测器 |
| 5.1 天线概述 |
| 5.2 基于偶极子天线的毫米波器件仿真与研究 |
| 5.3 基于天线耦合的光栅型器件仿真 |
| 5.3.1 光栅型器件 |
| 5.3.2 基于天线耦合的光栅型器件 |
| 5.4 器件的制备 |
| 5.5 器件的测试 |
| 5.5.1 器件的响应 |
| 5.5.2 器件的偏振特性 |
| 5.5.3 器件的时间常数 |
| 5.5.4 毫米波定量探测的特性 |
| 5.6 本章小结 |
| 第6章 总结和展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介及在学期间发表学术论文与研究成果 |
（6）锰钴镍氧热敏薄膜材料及非制冷红外探测器件研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 测微辐射热计 |
| 1.3 锰钴镍氧化物材料简介 |
| 1.4 Mn-Co-Ni-O薄膜材料的制备方法 |
| 1.4.1 射频磁控溅射法 |
| 1.4.2 化学溶液沉积法 |
| 1.4.3 脉冲激光沉积法 |
| 1.5 Mn-Co-Ni-O薄膜材料及器件的研究进展 |
| 1.5.1 Mn-Co-Ni-O薄膜材料电学性质研究进展 |
| 1.5.2 Mn-Co-Ni-O薄膜材料光学性质研究进展 |
| 1.5.3 Mn-Co-Ni-O非制冷红外探测器研究进展 |
| 本论文研究内容 |
| 第2章 Mn-Co-Ni-O薄膜材料的制备及表征方法 |
| 2.1 Mn-Co-Ni-O薄膜材料的制备方法 |
| 2.1.1 射频磁控溅射法制备Mn-Co-Ni-O薄膜材料 |
| 2.1.2 化学溶液法制备Mn-Co-Ni-O薄膜材料 |
| 2.2 材料结构、形貌和离子价态表征方法 |
| 2.2.1 X射线衍射 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 |
| 2.2.3 透射电子显微镜 |
| 2.2.4 原子力显微镜 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱 |
| 2.3 材料光学与电学性质分析 |
| 2.3.1 傅里叶变换红外光谱分析 |
| 2.3.2 椭圆偏振分析 |
| 2.3.3 变温电学性能测试 |
| 第3章 后退火对射频磁控溅射低温沉积的Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_4薄膜的微结构及电学性质的影响研究 |
| 3.1 Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_4 薄膜材料及电学测试样品制备 |
| 3.1.1 射频磁控溅射生长Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_4 薄膜 |
| 3.1.2 Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_4电学测试样品制备及测试方法 |
| 3.2 Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_4 薄膜材料微观结构与形貌表征 |
| 3.3 Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_4 薄膜材料电学性质 |
| 本章小结 |
| 第4章 沉积温度对磁控溅射制备的Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_4薄膜的微结构、离子分布及电学性质的影响研究 |
| 4.1 射频磁控溅射制备Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_4 薄膜 |
| 4.2 Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_4 薄膜材料晶体结构和形貌表征 |
| 4.3 Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_4 薄膜材料离子价态和阳离子分布 |
| 4.4 Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_4 薄膜材料电学性质 |
| 本章小结 |
| 第5章 Cu和 Sc共掺杂增强Mn-Co-Ni-O热敏材料性能研究 |
| 5.1 Mn1.5Co1Ni0.5O4 薄膜和掺杂Mn1.5Co1Ni0.5O4 薄膜制备 |
| 5.2 薄膜材料表征和电学性质测试方法 |
| 5.3 晶体结构和形貌表征 |
| 5.4 Mn_(1.5)Co_1Ni_(0.5)O_4薄膜和掺杂Mn_(1.5)Co_1Ni_(0.5)O_4薄膜的电学输运性质 |
| 5.5 550-2000 nm光谱范围内Mn_(1.5)Co_1Ni_(0.5)O_4薄膜及共掺杂Mn_(1.5)Co_1Ni_(0.5)O_4薄膜的光学性质 |
| 5.6 Mn_(1.5)Co_1Ni_(0.5)O_4薄膜和掺杂Mn_(1.5)Co_1Ni_(0.5)O_4薄膜的1/f噪声性质 |
| 本章小结 |
| 第6章 超宽波段Mn-Co-Ni-O线列探测器及红外成像研究 |
| 6.1 Mn-Co-Ni-O薄膜材料制备 |
| 6.2 室温溅射Mn-Co-Ni-O薄膜材料的微结构及表面形貌表征 |
| 6.3 Mn-Co-Ni-O薄膜和OF的光学与电学性质 |
| 6.4 超宽波段均匀光谱响应的Mn-Co-Ni-O单元探测器 |
| 6.4.1 Mn-Co-Ni-O探测器制备 |
| 6.4.2 Mn-Co-Ni-O探测器光电响应特性分析 |
| 6.4.3 Mn-Co-Ni-O探测器响应光谱研究 |
| 6.5 Mn-Co-Ni-O线列探测器性能表征 |
| 6.6 Mn-Co-Ni-O线列探测器“真实”红外成像 |
| 本章小结 |
| 第7章 总结与展望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（7）硅基微型热导检测器的设计与制作研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究工作的背景及意义 |
| 1.1.1 气体分离技术 |
| 1.1.2 气相色谱仪 |
| 1.2 微型热导检测器的研究现状 |
| 1.3 本文的主要研究内容及创新点 |
| 第二章 微型热导检测器 |
| 2.1 微型热导检测器的工作原理 |
| 2.2 微型热导检测器性能的影响因素 |
| 2.2.1 热敏电阻 |
| 2.2.2 热导池 |
| 2.2.3 微桥 |
| 2.2.4 载气 |
| 2.3 微型热导检测器的制作工艺 |
| 2.3.1 电子束蒸发法 |
| 2.3.2 磁控溅射法 |
| 2.3.3 金属剥离法 |
| 2.3.4 化学气相沉积法 |
| 2.3.5 湿法腐蚀 |
| 2.3.6 干法刻蚀 |
| 2.3.7 阳极键合 |
| 2.4 薄膜与结构的测试表征 |
| 2.4.1 光学薄膜测厚仪 |
| 2.4.2 台阶仪 |
| 2.4.3 金相显微镜 |
| 2.4.4 扫描电子显微镜 |
| 2.4.5 电阻与电阻温度系数 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 微型热导检测器的热敏电阻制作研究 |
| 3.1 热敏电阻制作的主要试剂、材料及仪器 |
| 3.2 热敏电阻制作 |
| 3.2.1 硅片预处理 |
| 3.2.2 单层胶方法制作热敏电阻 |
| 3.2.3 双层胶方法制作热敏电阻 |
| 3.3 热敏电阻制作方法比较 |
| 3.3.1 单层胶金属薄膜剥离技术 |
| 3.3.2 双层胶金属薄膜剥离技术 |
| 3.4 热敏电阻的电学性能比较 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 微型热导检测器制作的刻蚀技术研究 |
| 4.1 干法刻蚀和湿法腐蚀工艺 |
| 4.1.1 干法刻蚀工艺 |
| 4.1.2 湿法腐蚀工艺 |
| 4.2 湿法腐蚀硅 |
| 4.2.1 浓度对KOH溶液腐蚀硅的影响 |
| 4.2.2 温度对KOH溶液腐蚀硅的影响 |
| 4.3 干法刻蚀硅 |
| 4.3.1 干法刻蚀硅后的表面形貌 |
| 4.3.2 不同刻蚀气体对材料刻蚀速率的影响 |
| 4.4 微桥制作研究 |
| 4.4.1 干法刻蚀法制作微桥研究 |
| 4.4.2 湿法腐蚀法制作微桥研究 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 微型热导检测器的设计、制作及性能测试 |
| 5.1 微型热导检测器的设计 |
| 5.1.1 结构设计 |
| 5.1.2 制作工艺设计 |
| 5.1.3 条件仿真 |
| 5.2 微型热导检测器的制作 |
| 5.2.1 硅片预处理 |
| 5.2.2 热敏电阻制作 |
| 5.2.3 电极制作 |
| 5.2.4 微桥制作 |
| 5.2.5 封装 |
| 5.3 微型热导检测器的性能测试 |
| 5.3.1 结构完整性检测 |
| 5.3.2 气密性测试 |
| 5.3.3 检测性能测试 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 未来工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间获得的成果 |
（8）基于锰基尖晶石结构热敏薄膜电阻制备及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 NTC热敏电阻的研究现状 |
| 1.2.1 国外研究进展 |
| 1.2.2 国内研究进展 |
| 1.3 热敏电阻的发展趋势 |
| 1.4 锰基尖晶石热敏电阻材料的结构与电性能分析 |
| 1.4.1 尖晶石晶体结构 |
| 1.4.2 尖晶石热敏电阻导电机理 |
| 1.5 常见的NTC元器件制备方法 |
| 1.5.1 固相反应法 |
| 1.5.2 厚膜工艺方法 |
| 1.5.3 薄膜工艺方法 |
| 1.6 课题的提出及研究内容 |
| 1.6.1 NTC材料和热敏电阻器件目前存在的问题 |
| 1.6.2 本论文的研究内容 |
| 1.6.3 本论文的创新处 |
| 第二章 实验方法 |
| 2.1 实验原材料 |
| 2.2 样品制备用到的仪器 |
| 2.3 核心实验仪器 |
| 2.3.1 溅射镀膜机 |
| 2.3.2 接近式曝光机 |
| 2.3.3 湿法刻蚀平台 |
| 2.4 样品测试与表征 |
| 2.4.1 粉末粒度分析 |
| 2.4.2 热分析 |
| 2.4.3 X射线衍射仪 |
| 2.4.4 扫描电子显微镜 |
| 2.4.5 X射线能谱分析 |
| 2.4.6 三维光学轮廓仪 |
| 2.4.7 高精度恒温油槽 |
| 2.4.8 X射线光电子能谱(XPS) |
| 第三章 MCN热敏组成成分、烧结温度对电性能的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验 |
| 3.2.1 Mn_(2-2x)Co_(3x)Ni_(1-x)O_4 (x= 0.1-0.45)材料的固相反应法合成 |
| 3.2.2 Mn_(2-2x)Co_(3x)Ni_(1-x)O_4 (x= 0.1-0.45)材料和器件的表征与电性能测试 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 MCN材料的物相分析 |
| 3.3.2 MCN材料的表面形貌分析与元素分布分析 |
| 3.3.3 MCN材料中的Mn、Co、Ni、0元素的光电子能谱分析 |
| 3.3.4 Mn_(2-2x)Co_(3x)Ni_(1-x)O_4 (x=0.1-0.45)片式器件的电学性能分析 |
| 3.3.5 Mn_(1.4)Co_(0.9)Ni_(0.7)O_4 (x=0.3)片式热敏器件的老化分析 |
| 3.3.6 烧结温度对于Cu掺杂MnCoNi材料电性能的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 Mn_(1.5)CoNi_(0.5)O_4薄膜和块体热敏电阻的形貌、电性能和灵敏度的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验 |
| 4.2.1 片式热敏电阻及NTC靶材的合成 |
| 4.2.2 制备薄膜NTC热敏电阻 |
| 4.2.3 表征与分析 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 制备过程中球磨混合氧化物的粒度分析 |
| 4.3.2 制备靶材中固相反应的热力学分析 |
| 4.3.3 NTC粉末和薄膜的物相分析 |
| 4.3.4 NTC薄膜层的表面形貌与元素分布分析 |
| 4.3.5 NTC薄膜热敏器件的表面形貌与元素分布分析 |
| 4.3.6 MCN薄膜层和MCN块体的光电子能谱分析 |
| 4.3.7 薄膜NTC器件和片式NTC器件的电性能分析 |
| 4.3.8 薄膜NTC器件和片式NTC器件的响应时间分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 RuO_2掺杂Mn_(1.6)Co_(0.4)CuO_4对其微观形貌、离子价态和电性能影响 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验 |
| 5.2.1 固相反应法制备Mn_(1.6)Co_(0.4)CuO_4/xRuO_2材料和器件的过程 |
| 5.2.2 Mn_(1.6)Co_(0.4)CuO_4/xRuO_2材料的分析表征与器件的电性能测试 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 制备过程中球磨混合氧化物的粒度分析 |
| 5.3.2 制备MCCR材料固相反应的热力学分析 |
| 5.3.3 MCCR粉末材料的物相分析 |
| 5.3.4 MCCR块体材料的表面形貌与元素分布 |
| 5.3.5 Mn_(1.6)Co_(0.4)CuO_4/xRuO_2陶瓷中MnCoCuRu元素的XPS光电子能谱分析 |
| 5.3.6 基于第一性原理的RuO_2的能带结构和态密度仿真模拟 |
| 5.3.7 Mn_(1.6)Co_(0.4)CuO_4/xRuO_2陶瓷中电性能测试与分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 低阻值Mn_(1.6)Co_(0.4)CuO_4/0.1RuO_2薄膜热敏电阻的制备及性能分析 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验 |
| 6.2.1 MCCR粉体的制备与靶材的制备 |
| 6.2.2 MCCR薄膜器件的制备 |
| 6.2.3 MCCR薄膜器件的分析与表征 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 MCCR粉体和薄膜层的物相分析 |
| 6.3.2 不同退火温度下MCCR粉薄膜层的表面形貌与元素分布 |
| 6.3.3 不同退火温度下MCCR薄膜层的元素结合能与元素价态分析 |
| 6.3.4 不同退火温度下MCCR粉薄膜层的电学性能 |
| 6.3.5 MCCR材料的薄膜器件与片式器件的响应时间分析 |
| 6.4 本章小结 |
| 总结与展望 |
| 本论文主要研究总结 |
| 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表的论文 |
| 致谢 |
（9）航空关键部件一体化集成薄膜热电阻传感器（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 |
| 1.1.1 热电阻传感器 |
| 1.1.1.1 热电阻传感器的分类 |
| 1.1.1.2 热电阻传感器的优点 |
| 1.1.2 热电阻传感器的历史背景 |
| 1.1.3 热电阻传感器的应用背景 |
| 1.1.4 热电阻传感器的发展意义 |
| 1.2 热电阻的国内外研究历史与现状 |
| 1.2.1 国外热电阻研究 |
| 1.2.2 国内热电阻研究 |
| 1.3 本文的主要贡献与创新 |
| 1.4 本论文的结构安排 |
| 第二章 薄膜制备与测试原理 |
| 2.1 薄膜制备原理 |
| 2.1.1 物理气相沉积法 |
| 2.1.1.1 真空蒸发 |
| 2.1.1.2 溅射镀膜 |
| 2.1.2 化学气相沉积法 |
| 2.2 薄膜制备及测试的仪器 |
| 2.2.1 薄膜制备的仪器 |
| 2.2.2 测试仪器及原理介绍 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 绝缘层的制备与研究 |
| 3.1 绝缘层的重要作用 |
| 3.2 不同结构绝缘层研究 |
| 3.2.1 单层氧化铝绝缘层研究 |
| 3.2.2 多层氧化铝绝缘层工艺研究 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 功能层实验探究 |
| 4.1 衬底温度对Ni薄膜热电阻的影响 |
| 4.1.1 不同衬底温度下薄膜的微观表征 |
| 4.1.2 不同衬底温度下薄膜的测试 |
| 4.2 沉积气压对Ni薄膜热电阻的影响 |
| 4.2.1 不同沉积气压下薄膜的微观表征 |
| 4.2.2 不同沉积气压下薄膜的测试 |
| 4.3 溅射功率对镍薄膜热电阻的影响 |
| 4.3.1 不同溅射功率下薄膜的微观表征 |
| 4.3.2 不同溅射功率下薄膜的测试 |
| 4.4 其他有关功能层的研究 |
| 4.4.1 Ni薄膜的线性度 |
| 4.4.2 Ni薄膜的重复性 |
| 4.4.3 Ni薄膜的温度稳定性 |
| 4.4.4 不同测试速度对TCR的影响 |
| 4.4.5 不同沉积厚度的Ni薄膜 |
| 4.4.6 多次退火后的Ni薄膜 |
| 4.4.7 Ni薄膜与Pt薄膜的对比 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 轴承薄膜一体化测试 |
| 5.1 轴承上同一点位薄膜热电阻的测试 |
| 5.1.1 轴承上薄膜热电阻的重复性 |
| 5.1.2 轴承上薄膜热电阻的线性度 |
| 5.2 轴承上不同点位薄膜热电阻的测试 |
| 5.3 轴承上薄膜热电阻传感器 |
| 5.4 轴承的附着力测试 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 本文总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（10）磁控溅射制备Mn-Co-Ni-Mg-Al-O薄膜的电学与光学性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景及意义 |
| 1.2 热探测器分类 |
| 1.3 锰基尖晶石材料简介 |
| 1.3.1 基本电学性质 |
| 1.3.2 基本光学性质 |
| 1.4 本文研究内容及意义 |
| 第2章 Mn-Co-Ni-Mg-Al-O薄膜磁控溅射制备及物相表征 |
| 2.1 薄膜的制备方法 |
| 2.2 薄膜的表征手段 |
| 2.2.1 X射线衍射谱(XRD) |
| 2.2.2 原子力显微镜(AFM) |
| 2.2.3 扫描式电子显微镜(SEM) |
| 2.2.4 X射线光电子能谱(XPS) |
| 2.2.5 椭圆偏振光谱 |
| 第3章 生长温度对Mn-Co-Ni-Mg-Al-O薄膜性能的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 Mn-Co-Ni-Mg-Al-O薄膜制备 |
| 3.2.1 实验准备 |
| 3.2.2 薄膜制备流程 |
| 3.3 衬底温度对薄膜结构和形貌的影响 |
| 3.3.1 薄膜AFM分析 |
| 3.3.2 薄膜XRD分析 |
| 3.4 生长温度对薄膜光学和电学性能的影响 |
| 3.4.1 薄膜XPS分析 |
| 3.4.2 薄膜阻温关系 |
| 3.4.3 薄膜光学性能分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 退火气氛对Mn-Co-Ni-Mg-Al-O薄膜的电学性能影响 |
| 4.0 引言 |
| 4.1 Mn-Co-Ni-Mg-Al-O薄膜制备 |
| 4.2 退火气氛对薄膜结构和形貌的影响 |
| 4.2.1 薄膜SEM分析 |
| 4.2.2 薄膜XRD分析 |
| 4.3 薄膜电性能分析 |
| 4.3.1 薄膜XPS分析 |
| 4.3.2 薄膜阻温关系 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 总结与展望 |
| 5.1 本论文主要工作 |
| 5.2 本文的创新之处 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间科研成果 |
四、Ni薄膜热敏电阻的研究（论文参考文献）
- [1]柔性温度传感器的加工及在纺织领域的应用[J]. 闫宗瑶,刘建勇,方子鑫. 针织工业, 2021(10)
- [2]具有绝热结构的高性能锰钴镍氧热敏探测器的制备及特性研究[J]. 刘福浩,杨晓阳,高燕,杨荣,许金通,李向阳. 半导体光电, 2021(05)
- [3]基于不同衬底的Mn1.2Co1.5Ni0.3O4热敏薄膜的制备及其应用研究[D]. 王向斌. 新疆大学, 2021
- [4]γ-石墨单炔制备及其热敏特性与气敏特性研究[D]. 满振武. 西北大学, 2021(12)
- [5]新型Mn-Co-Ni-O薄膜探测器的研究[D]. 胡涛. 中国科学院大学(中国科学院上海技术物理研究所), 2021(01)
- [6]锰钴镍氧热敏薄膜材料及非制冷红外探测器件研究[D]. 尹一鸣. 中国科学院大学(中国科学院上海技术物理研究所), 2021(01)
- [7]硅基微型热导检测器的设计与制作研究[D]. 熊可. 电子科技大学, 2021(01)
- [8]基于锰基尖晶石结构热敏薄膜电阻制备及性能研究[D]. 杨丙文. 广东工业大学, 2020(06)
- [9]航空关键部件一体化集成薄膜热电阻传感器[D]. 崔金婷. 电子科技大学, 2020(08)
- [10]磁控溅射制备Mn-Co-Ni-Mg-Al-O薄膜的电学与光学性能研究[D]. 张柯. 陕西师范大学, 2019(01)